特許

J-GLOBAL ID：200903025394258502

半導体インゴット分析方法

発明者： 朴 在 勤 ,  崔 秀 烈 ,  李 坤 燮 ,  チョ 圭 徹
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019321
公開番号（公開出願番号）：特開平10-297995
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】 インゴットの位置別にベアウェーハに存在する欠陥の分布や密度等を評価する半導体インゴット分析方法を提供する。【解決手段】 同一な結晶成長条件下で形成された複数個のインゴットを切断してウェーハを形成した後、インゴット内の位置別に分類してサンプリングする段階;前記ウェーハの中でインゴット内の各位置別で一部を選択してアズグローン状態下で結晶欠陥を分析する段階;前記ウェーハの中でインゴットの各位置別で他の一部を選択して、特定半導体装置製造工程の熱処理工程と同一な温度条件下の熱処理工程を行った後、結晶欠陥を分析する段階;前記ウェーハの中でまた他の一部を選択して、ウェーハに対して加速熱処理工程を行った後、結晶欠陥を分析する段階;及び前記各分析結果に基いてインゴット内の各位置別で結晶欠陥の状態を評価する段階を備える半導体インゴット分析方法である。

請求項（抜粋）：

単結晶成長法によって形成されたインゴットに対する結晶欠陥を分析する半導体インゴット分析方法において、同一な結晶成長条件下で形成された複数個のインゴットを切断してウェーハを形成した後、インゴット内の位置別に分類してサンプリングする段階;前記サンプリングされたウェーハの中でインゴット内の各位置別で一部を選択してアズグローン(As-grown)状態下で結晶欠陥を分析する段階;前記サンプリングされたウェーハの中でインゴット内の各位置別に他の一部を選択して、ウェーハに対して行う半導体装置製造工程の熱処理工程と同一な温度条件下の熱処理工程を行った後、結晶欠陥を分析する段階;前記サンプリングされたウェーハの中でインゴット内の各位置別にまた他の一部を選択して、ウェーハに対して加速熱処理工程を行った後、結晶欠陥を分析する段階;及び前記各分析段階の分析結果に基いてインゴット内の各位置別に結晶欠陥の状態を評価する段階;を備えてなることを特徴とする半導体インゴット分析方法。

IPC (5件)：

C30B 29/06 502 ,  G01N 1/28 ,  G01N 33/00 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/02

FI (5件)：

C30B 29/06 502 Z ,  G01N 33/00 A ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/02 B ,  G01N 1/28 K