分布反射型偏波変調半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159949
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340566
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】構成や作製プロセスに対して許容度が大きい偏波変調半導体レーザである。【解決手段】偏波変調半導体レーザは、TE偏波モードとTM偏波モードの利得差が小さい活性層3を有するDFBレーザ部とDBR反射部が光の共振器方向に配置された分布反射型半導体レーザである。DBR反射部からDFBレーザ部への反射光を制御できる構成を持ち、それによりレーザ発振をTE偏波モードとTM偏波モード間でスイッチングさせる。

請求項（抜粋）：

TE偏波モードとTM偏波モードの利得差が小さい活性層を有するDFBレーザ部とDBR反射部が光の共振器方向に配置された分布反射型半導体レーザにおいて、DBR反射部からDFBレーザ部への反射光を制御できる様に構成され、それによりレーザ発振をTE偏波モードとTM偏波モード間でスイッチングさせることを特徴とする偏波変調半導体レーザ。

前のページに戻る