特許
J-GLOBAL ID:200903025398030131
フェニルナフタレン誘導体
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 勝利
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-191471
公開番号(公開出願番号):特開2000-026341
出願日: 1998年07月07日
公開日(公表日): 2000年01月25日
要約:
【要約】【課題】 TN-Iが高く、適当な大きさの△nを有するフッ素系のフェニルナフタレン誘導体である液晶性化合物を提供し、これを含有するN相温度範囲が広く、低電圧駆動性を有し、アクティブマトリックス駆動用としても使用可能な液晶組成物、更に、これを構成要素とする液晶素子を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:C数1〜10のアルキル基、C数2〜10のアルケニル基又はアルコキシルアルキル基、L:-CH2CH2-又は単結合、X:H原子又はF原子。シクロヘキシレン基の1,4-位はトランス配置。)のフェニルナフタレン誘導体、これを含有する液晶組成物、これを構成要素とする液晶素子。
請求項(抜粋):
一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基又はアルコキシルアルキル基を表し、Lは-CH2CH2-又は単結合を表し、Xは水素原子又はフッ素原子を表す。また、シクロヘキシレン基の1,4-位はトランス配置である。)で表されるフェニルナフタレン誘導体。
IPC (5件):
C07C 25/22
, C07C 25/24
, C07C 43/174
, C09K 19/32
, G02F 1/13 500
FI (5件):
C07C 25/22
, C07C 25/24
, C07C 43/174
, C09K 19/32
, G02F 1/13 500
Fターム (13件):
4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB64
, 4H006EA37
, 4H006GP01
, 4H006GP22
, 4H027BA01
, 4H027BC04
, 4H027BD02
, 4H027BD04
, 4H027BD07
, 4H027CT04
, 4H027DK04
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
p-テルフェニル誘導体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-181522
出願人:大日本インキ化学工業株式会社
前のページに戻る