特許
J-GLOBAL ID：200903025402211359
キヤピラリ、それによるバンプ製造方法及びそれによる半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-028511
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006893
出願日： 1991年02月22日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 バンプ製造装置のキャピラリ、それによるバンプ製造方法及びそれによる半導体装置に関し、バンプ電極の接合面をできるだけ平坦にし、バンプ高さのバラツキを少なくすることを目的とする。【構成】 軸心にボンディングワイヤを挿通する円形孔1aを備え、その先端面の形状が長軸X、短軸Yをもつ楕円形のキャピラリ1を用い、ボンディングワイヤ4先端のボール4aを半導体チップ2のパッド2aに圧着する第1ボンディングを行った後、さらに第2ボンディングを第1ボンディングの位置から振動を加えながら長軸方向にずらした位置で行いボンディングワイヤ4から切断するバンプ製造方法により、平坦な接合面を有するバンプ電極を備える半導体チップを製造するように構成する。
請求項（抜粋）：
軸心にボンディングワイヤ(4) を挿通する円形孔(1a)を備え、先端面の形状が長軸、短軸をもつ楕円形であることを特徴とするキャピラリ。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
