特許

J-GLOBAL ID：200903025405998104

半導体装置

発明者： 野口 充宏 ,  高島 大三郎 ,  関村 雅之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196112
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031397
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 MEMS素子における可動薄膜部分の抵抗値を十分低くすると共に、抵抗値のばらつきを小さくでき、MEMS素子を用いた配線の信頼性向上をはかり得、且つ半導体集積回路との集積化も容易に実現可能にする。【解決手段】 MEMS素子を用いた半導体装置において、Si基板7の主面上に形成された導電性領域(下部電極)9と、この下部電極9に離間対向配置され、両端が基板7上に絶縁膜6を介して固定され、中央部が変位可能な導電膜(中間電極)8と、この導電膜8に設けられた基板主面と垂直方向に貫通する穴に埋め込み形成された絶縁膜10と、基板7上に絶縁膜2を介して固定され、中間電極8に対し下部電極9とは反対側に対向配置された導電膜(上部電極)1とを具備してなり、中間電極8の変位部と下部電極9及び上部電極1との距離は、中間電極8の下部電極9及び上部電極1に対する電位によって変化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に形成された第1の導電部と、この第1の導電部に気体又は液体を介して対向配置され、少なくとも一端が前記基板上に固定され、一部が変位可能な第2の導電部と、この第2の導電部と同一の主面内に形成され、該導電部とは側面で接する絶縁体とを具備してなり、第2の導電部の変位部分と第1の導電部との距離は、第1の導電部に対する第2の導電部の電位によって変化することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01H 59/00

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01H 59/00

Fターム (16件)：

5F083EP00 ,  5F083EP21 ,  5F083EP41 ,  5F083GA02 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR05 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40