特許

J-GLOBAL ID：200903025413588802

p-i-nダイオード

発明者： ポール レイモンド バーガー ,  アルフレッド ワイ.チョー ,  ニロイ ケー.ダッタ ,  ジョン ルパタ ,  ヘンリー エム.オブライアン ジュニア ,  デボラ リー シヴェオ ,  ジョージ ジェイ.ジドジック
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064821
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013645
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 厚み10〜40nmの薄い半透明な金属層24と厚み90〜600nmの透明なカドミウムスズオキサイド(CTO)層25からなる光学的に透明な複合上部電極22を持つp-i-n In0.53Ga0.47Asフォトダイオード10を提供する。【構成】 金属層24は半導体表面18に対して非合金オーム接点を形成し、半導体とCTO25の間でバリアーのように作用し、CTO層のリアクティブマグネトロンスパッタリングの際にプラズマ中の酸素によって半導体が酸化され、半導体とCTO間にp-n接合が形成されるのを防ぐ。このCTOはnまたはpコンタクト、オプティカルウィンドウおよび反射防止膜として作用する。また上部電極22によるアクティブ層15への陰影妨害は生じず、入射光がより多く集光できる。

請求項（抜粋）：

複数の化合物半導体層の層状構造と、前記の構造に対する下部および上部電極と、からなることを特徴とするp-i-nダイオードであり、前記の構造は第一の導電型を持つ基板と、前記の第一の導電型を持つ底部制限層と、固有アクティブ層と、第2の導電型を持つ上部制限層と、前記第2の導電型を持つコンタクト層とからなり、前記の上部電極は前記のコンタクト層と接触し、前記のコンタクト層の上に置かれる薄い光学的に半透明な金属層と、前記の金属層の上に置かれる光学的に透明な導電性カドミウムスズオキサイド層とからなり、前記の金属層は前記のコンタクト層に対し非合金オーム接点を形成していることを特徴とするp-i-nダイオード。

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 H