特許
J-GLOBAL ID：200903025414029645
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077159
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上の絶縁膜を開口する際の感光性材料膜の欠陥により不要な開口部が生じるのを防ぐ。【構成】絶縁膜として設けた酸化シリコン膜3の上にフォトレジスト膜3を塗布してパターニングし、開口部4を設ける際に不要な開口部5を生ずる場合があるが、フォトレジスト膜3の上にフォトレジスト膜6を厚く塗布して開口部4の位置に整合し且つ口径の大きな開口部7を設けることにより、酸化シリコン膜2を開口する際の寸法精度を下げることなく、フォトレジスト膜3,6を貫通する不要な開口部が発生する確率を下げ、半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第1の感光性材料膜を塗布する工程と、前記第1の感光性材料膜を露光現像して第1の開口部を形成する工程と、前記第1の感光性材料膜の上に第2の感光性材料膜を前記第1の感光性材料膜よりも厚く塗布する工程と、前記第2の感光性材料膜に前記第1の開口部と整合し且つ前記第1の開口部より大きい口径の第2の開口部を形成する工程と、前記第1及び第2の感光性材料膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし開口する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/30
, H01L 21/027
, H01L 21/302
