特許
J-GLOBAL ID：200903025420564730
半導体レーザの劣化判定回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195218
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024272
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 APC回路を備える半導体レーザ装置において、APC制御動作を停止することなくLDの劣化判定を可能とし、かつ回路構成を簡易化したLDの劣化判定回路を提供する。【解決手段】 PDの検出レベルVLと基準レベルVRとの差を増幅し、その出力により駆動電流供給回路106の駆動電流を制御する第1差動増幅回路105と、バイアス回路107、加算器108、第1スイッチ109からなるレベル変換手段と、劣化判定指令信号SDを受ける直前の第1差動増幅回路105の出力を保持するサンプル・ホールド回路110と、劣化判定指令信号SDを受けたときの前記第1差動増幅回路105の出力とサンプル・ホールド回路110で保持した出力とのレベル差ΔVXを出力する第2差動増幅回路112と、半導体レーザの劣化判定信号を出力する劣化判定回路113とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、前記半導体レーザを発光するための駆動電流を供給する駆動電流供給回路と、前記半導体レーザの発光出力を検出する受光素子と、前記受光素子の検出レベルと基準レベルとの差を増幅し、その出力により前記駆動電流供給回路の駆動電流を制御する第1差動増幅回路とを備える半導体レーザ装置において、半導体レーザの劣化判定指令信号を受けて前記基準レベルまたは前記受光素子の検出レベルを変化させるためのバイアス変化手段と、前記劣化判定指令信号を受ける直前の前記第1差動増幅回路の出力を保持するサンプル・ホールド回路と、前記劣化判定指令信号を受けたときの前記第1差動増幅回路の出力と前記サンプル・ホールド回路で保持した出力とのレベル差を出力する第2差動増幅回路と、前記第2差動増幅回路の出力のレベルを劣化判定基準レベルと比較して半導体レーザの劣化判定信号を出力する劣化判定回路とを備えることを特徴とする半導体レーザの劣化判定回路。
Fターム (4件)：
5F073GA31
, 5F073GA38
, 5F073HA10
, 5F073HA12
