ドライエッチング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085822
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342771
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】より大きな面積をもつ半導体基板9でも面内を均一にエッチングできるように図る。【構成】マイクロ波を用いる平行平板型のドライエッチング装置であって、マイクロ波を導入し広いマイクロ波放出面をもつ誘電体線路部材であるテフロン板3を上部電極2の下側に取付け、マイクロ波をテフロン板3に伝播させ広い下側面よりマイクロ波をチャンバ1内に放射させ均一なプラズマを形成する。さらに、必要に応じてチャンバ1の外壁に等間隔に磁石11を配置し、半導体基板9の面上への磁界を小さし影響を抑えるとともにチャンバ空間部の磁界を一様に印加させプラズマ密度を増大させている。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に設けられる第1の電極と、この第1の電極に対向して設けられ被エッチング部材の半導体基板を載置する第2の電極と、前記第1の電極に取付けられマイクロ波を導入する誘電体線路部材と、前記第2の電極に接続される高周波電源とを備えることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-002321
特開昭62-291032

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