特許
J-GLOBAL ID：200903025424229910
電子の電界放出特性を高めたナノチューブ基材料の作成方法(連邦政府の資金援助による研究または開発に関する声明)本発明の少なくともいくつかの態様は、契約番号N00014-98-1-05907の下で政府によって支援された。政府は、本発明において一定の権利を有し得る。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-505401
公開番号（公開出願番号）：特表2004-534662
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
電子的な仕事関数を減少する方法、電子の電界放出に対する電界閾値を減少する方法、半導性の性質を金属の性質に変換する方法、フェルミ準位状態の電子密度を増加する方法、および電子の電界放出位置での密度を増加する方法であって、ナノチューブ含有材料中に開口を形成する工程と、その開口の少なくともいくつか中にアルカリ金属などの外来種を導入する工程と、その開口を閉じて、その外来種で満たされたカプセルを形成し、これらのカプセルを用いて電界放出カソードとフラットパネルディスプレイとを形成する工程とを含む方法。
請求項（抜粋）：
(a)未処理のナノ構造のあるいはナノチューブ含有の材料であって閉じられた構造を含む材料を生成するステップと、
(b)前記未処理の材料を精製するステップと、
(c)前記精製した材料を処理することにより、前記閉じられた構造に開口を形成するステップと、
(d)少なくともいくつかの前記開口の内部に電子ドナーあるいは電子アクセプターとなる外来種(foreign species)を導入するステップと、
(e) 前記開口を閉じることにより、前記外来種で満たされたカプセルを形成するステップと、
を有することを特徴とする製造方法。
IPC (3件)：
B82B3/00
, H01J1/304
, H01J9/02
B82B3/00
, H01J9/02 B
, H01J1/30 F
4G048AA07
, 4G048AA08
, 4G048AD04
, 4G146AA07
, 4G146AA12
, 4G146AA13
, 4G146AD28
, 4G146AD40
, 5C127AA01
, 5C127AA05
, 5C127AA06
, 5C127AA07
, 5C127AA11
, 5C127AA13
, 5C127AA20
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC03
, 5C127DD08
, 5C127DD09
, 5C127DD14
, 5C127DD19
, 5C127DD54
, 5C127DD64
, 5C127DD99
, 5C127EE02
, 5C135AA15
, 5C135AB07
, 5C135AC03
, 5C135GG07
, 5C135HH02
