特許

J-GLOBAL ID：200903025424680433

フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

発明者： 高 次元 ,  李 根守 ,  鄭 載昌 ,  金 明洙
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231615
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081142
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 エッチング耐性、耐熱性及び接着性が優れているフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(1)の化合物、式(2)の化合物、式(3)の化合物、(4)の無水マレイン酸を含むフォトレジスト用共重合体を利用したフォトレジスト組成物である。【化1】

請求項（抜粋）：

(a)下記式(1)の化合物と、(b)下記式(2)の化合物と、(c)下記式(3)の化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト用共重合体。【化1】前記式(1)で、Rは置換又は非置換された直鎖状又は側鎖状の炭素数C1〜C10のアルキレン基、置換又は非置換された炭素数C1〜C10のエーテル基、置換又は非置換された炭素数C1〜C10のエステル基、又は置換又は非置換された炭素数C1〜C10のケトン基であり、X及びYはそれぞれCH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、iは0〜2の中から選択される整数である。【化2】前記式(2)で、V及びWはそれぞれCH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、R*は酸に敏感な保護基であり、jは0〜2の中から選択される整数である。【化3】前記式(3)で、R3は水素又はメチル基であり、R4は置換又は非置換された直鎖状又は側鎖状の炭素数C1〜C10アルキレン基であり、R’、R''及びR'''は、それぞれ置換又は非置換された直鎖状又は側鎖状の炭素数C1〜C5のアルキル基である。

IPC (11件)：

C08F232/08 ,  C08F 2/02 ,  C08F 2/06 ,  C08K 5/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027

FI (11件)：

C08F232/08 ,  C08F 2/02 ,  C08F 2/06 ,  C08K 5/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 573