特許

J-GLOBAL ID：200903025432345279

積層回路基板及びその製造方法

発明者： 坂ノ上 聡浩
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336372
公開番号（公開出願番号）：特開2000-165048
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、内部導体パターンの断面形状を規定し、安定した高周波特性が得られ、汎用性の高い積層回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数のガラスセラミック層1a〜1eが積層されて成る積層体1 の内部に、Au、Ag、Cuのいずれかの材料またはその合金からなる内部導体パターン2 及びビアホール導体3 を配置して成る積層回路基板である。そして、内部導体パターン2 の断面形状が概略楕円形状とした。

請求項（抜粋）：

複数のガラスセラミック層が積層されて成る積層体の内部に、Au、Ag、Cuのいずれかの材料またはその合金からなる内部導体パターン及びビアホール導体を配置して成る積層回路基板において、前記内部導体パターンの断面形状が概略楕円形状であることを特徴とする積層回路基板。

FI (2件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 H

Fターム (15件)：

5E346AA43 ,  5E346BB11 ,  5E346CC08 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346DD44 ,  5E346GG09 ,  5E346GG18 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346HH06