特許

J-GLOBAL ID：200903025435101141

光起電力装置の製造方法

発明者： 海道 佳典 ,  羽賀 孝裕 ,  塙平 信夫 ,  小野 雅義
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072400
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260699
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【構成】 基板の全外周の内側に位置する下部外周溝に、ここから基板の外周側へ拡がる外周絶縁部材を基板の全外周の内側に配置する工程と、外周絶縁部材上における下部外周溝より基板の外周側に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜及び第2導電膜を除去し、外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成する工程を有する。【効果】 上部外周溝が外周絶縁部材を貫いたとしても、上部外周溝が基板の外周側に形成されているので、同一発電領域内でセルショ-トすることがない。

請求項（抜粋）：

第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層の積層体からなる光起電力装置の製造方法であって、絶縁表面を有する基板の略全表面上に、前記第1電極層を構成する第1導電膜を形成する工程と、前記絶縁表面上で前記基板の全外周の内側に前記第1導電膜を分割する下部外周溝を形成して、前記第1電極層を分割形成する工程と、前記下部外周溝から前記基板の外周側へ拡がる外周絶縁部材を前記基板の全外周の内側に配置する工程と、前記第1導電膜上の略全面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び第2電極層を構成する第2導電膜の積層体を形成する工程と、この第2導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上における前記下部外周溝より前記基板の外周側に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体膜及び前記第2導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成して、前記半導体光活性層及び前記第2電極層を分割形成する工程とからなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。