特許
J-GLOBAL ID：200903025441140442
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-001456
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184040
出願日： 2006年01月06日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】隣接するメモリセル間の寄生容量によって生じるしきい値変動(近接効果)の影響を排除することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルアレイ1には複数のメモリセルが行列状に配列されており、メモリセルアレイ1は、読み出し対象のメモリセルMC1と、メモリセルMC1に隣接して配置されたメモリセルMC2〜MC4を有する。判定電位補正回路23は、メモリセルMC2〜MC4が持つしきい値に基づいて判定電位を補正する。読み出し回路は、補正した判定電位を用いて読み出し対象のメモリセルMC1を読み出す。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルが行列状に配列され、読み出し対象の第1メモリセルと、前記第1メモリセルに隣接して配置された第2メモリセルとを有するメモリセルアレイと、
前記第2メモリセルが持つしきい値に基づいて判定電位を補正する判定電位補正回路と、
前記補正した判定電位を用いて読み出し対象の前記第1メモリセルを読み出す読み出し回路と、
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G11C 16/02
, G11C 16/04
G11C17/00 634C
, G11C17/00 641
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 634G
, G11C17/00 611Z
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA19
, 5B125DA03
, 5B125DA09
, 5B125DB01
, 5B125EA05
, 5B125EB01
, 5B125EC06
, 5B125EE08
, 5B125EE17
, 5B125FA01
, 5B125FA05
, 5B125FA07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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