特許
J-GLOBAL ID：200903025444754166
薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351598
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201757
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、薄膜の表面形状を表すシミュレーションに表面反応を取り入れることで、薄膜の表面形状をほぼ正確に見出して、成膜時における条件出しの簡単化を図る。【構成】 良い成膜形状が得られる迄、成膜条件を変えながら成膜形状のシミュレーションを繰り返し行い、見出した良い成膜条件で基体11の表面に原料ガス粒子13を堆積させて薄膜14を形成する成膜方法であって、シミュレーションでは、最小時間単位Δt内に原料ガス粒子をN個だけ計算領域に入射して、原料ガス粒子について、その移動方向、基体表面との衝突、基体表面への付着、基体表面からの離脱を計算し、次いで原料ガス粒子の分解確率pd に基づいて基体11の表面に付着した原料ガス粒子の分解を計算して、分解した原料ガス粒子を堆積物に更新して薄膜14とする。これをシミュレーション時間tになる迄行う。
請求項（抜粋）：
基体の表面に原料ガス粒子を堆積させて薄膜を形成する薄膜の形成方法において、前記基体の表面に原料ガス粒子を堆積させて薄膜を形成する成膜条件を設定する第1工程と、前記設定した成膜条件に基づいて、前記基体の表面における前記原料ガス粒子の反応に基づいて成膜形状をシミュレーションする第2工程と、前記シミュレーションで求めた成膜形状を基にして成膜して良いか否かを判定する第3工程と、前記シミュレーションで求めた成膜形状に成膜して良い場合には、その成膜条件に基づいて前記基体の表面に原料ガス粒子を堆積させて薄膜の形成を行う第4工程と、前記シミュレーションで求めた成膜形状に成膜しては悪い場合には、成膜条件を更新して、前記第2工程以降を繰り返して行う第5工程とからなり、前記シミュレーションは、シミュレーションの最小時間単位Δt、前記Δt時間内に計算領域に入射する原料ガス粒子数N、前記Δt時間内に表面に付着した原料ガス粒子の分解確率pd 、前記原料ガス粒子が堆積物に分解する分解時間td 、シミュレーション時間tおよび前記基体の初期形状を規定する第1手順と、前記原料ガス粒子がN個だけ前記計算領域に入射した際の、当該原料ガス粒子の移動方向、当該原料ガス粒子と前記基体の表面との衝突、前記基体の表面への当該原料ガス粒子の付着および前記基体の表面からの当該原料ガス粒子の離脱を計算する第2手順と、前記分解時間td と前記分解確率pd とに基づいて前記基体の表面に付着した原料ガス粒子の分解を計算し、分解した原料ガス粒子を堆積物粒子に更新する第3手順と、前記シミュレーション時間tに達したか否かを判断して、前記シミュレーション時間tに達した場合には、当該シミュレーションを終了し、前記シミュレーション時間tに達していない場合には、時間をΔtだけ進めて更新して、前記第2手順以降の手順を前記時間tになるまで繰り返し行う第4手順とからなることを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, G06F 17/00
, H01L 21/203
