特許

J-GLOBAL ID：200903025446478557

スピン偏極伝導電子生成方法および半導体素子

発明者： 大野 英男 ,  松倉 文▲ヒロ▼
出願人/特許権者： 東北大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061721
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250998
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体中の電子のスピン偏極を生成する方法を提供する。【解決手段】 強磁性半導体から成る層と、前記強磁性半導体とタイプIIのバンド配置を有する非磁性半導体から成る層とを、前記強磁性半導体層の価電子帯の自発的なスピン分裂が、前記非磁性半導体層の伝導帯のスピン分裂を誘発するように設ける。

請求項（抜粋）：

強磁性半導体から成る層と、前記強磁性半導体とタイプIIのバンド配置を有する非磁性半導体から成る層とを、前記強磁性半導体層の価電子帯の自発的なスピン分裂が、前記非磁性半導体層の伝導帯のスピン分裂を誘発するように設ける工程を具えることを特徴とするスピン偏極伝導電子生成方法。