特許
J-GLOBAL ID:200903025450876540
積層位相差板及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
廣田 浩一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-358447
公開番号(公開出願番号):特開2003-161833
出願日: 2001年11月22日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】 製造効率に優れ、低コストで製造可能な積層位相差板の製造方法等の提供。【解決手段】 固有複屈折値が正の樹脂と固有複屈折値が負の樹脂とを共押し出しした後延伸し、固有複屈折値が正の樹脂を含有する層と、固有複屈折値が負の樹脂を含有する層とを含む積層位相差板を製造する積層位相差板の製造方法であって、固有複屈折値が負の樹脂が、下記式(1)で表される繰り返し単位と、下記式(2)で表される繰り返し単位とを含むポリカーボネートであることを特徴とする積層位相差板の製造方法である。【化1】【化2】式(2)において、A1〜A8は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、及び炭素数1〜3の炭化水素基から選ばれる少なくとも一種である。
請求項(抜粋):
固有複屈折値が正の樹脂と固有複屈折値が負の樹脂とを共押し出しした後、延伸し、固有複屈折値が正の樹脂を含有する層と、固有複屈折値が負の樹脂を含有する層とを含む積層位相差板を製造する積層位相差板の製造方法であって、固有複屈折値が負の樹脂が、下記式(1)で表される繰り返し単位と、下記式(2)で表される繰り返し単位とを含むポリカーボネートであることを特徴とする積層位相差板の製造方法。【化1】【化2】式(2)において、A1〜A8は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、及び炭素数1〜3の炭化水素基から選ばれる少なくとも一種である。Xは、下記式群(3)で表されるいずれかである。式群(3)【化3】式群(3)において、A9〜A11、A13〜A14は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、及び、炭素数1〜22の炭化水素基から選ばれる少なくとも一種である。A12及びA15は、各々独立に炭素数1〜20の炭化水素基から選ばれる少なくとも一種である。Ar1〜Ar3は、各々独立に炭素数6〜10のアリール基から選ばれる少なくとも一種である。
IPC (8件):
G02B 5/30
, B29C 47/06
, B29C 55/02
, C08G 64/04
, G02F 1/1335 510
, B29K 69:00
, B29L 9:00
, B29L 11:00
FI (8件):
G02B 5/30
, B29C 47/06
, B29C 55/02
, C08G 64/04
, G02F 1/1335 510
, B29K 69:00
, B29L 9:00
, B29L 11:00
Fターム (66件):
2H049BA06
, 2H049BA07
, 2H049BA42
, 2H049BB03
, 2H049BB42
, 2H049BB52
, 2H049BC01
, 2H049BC03
, 2H049BC22
, 2H091FA11X
, 2H091FA11Z
, 2H091FB02
, 2H091FC07
, 2H091FC08
, 2H091FD06
, 2H091FD17
, 2H091LA12
, 2H091LA16
, 2H091LA20
, 2H091MA07
, 4F207AA28
, 4F207AG01
, 4F207AG03
, 4F207KA01
, 4F207KA17
, 4F207KB26
, 4F207KW26
, 4F210AA28
, 4F210AG01
, 4F210AG03
, 4F210AH73
, 4F210QC01
, 4F210QC02
, 4F210QG01
, 4F210QG15
, 4F210QG18
, 4J029AA09
, 4J029AB07
, 4J029AC02
, 4J029AD01
, 4J029AD09
, 4J029AE03
, 4J029AE04
, 4J029BB12A
, 4J029BB12B
, 4J029BB12C
, 4J029BB13A
, 4J029BB13B
, 4J029BB13C
, 4J029BB16A
, 4J029BB16B
, 4J029BB16C
, 4J029BD08
, 4J029BD09A
, 4J029BD09B
, 4J029BD09C
, 4J029BE03
, 4J029BG06X
, 4J029BG08X
, 4J029BG08Y
, 4J029BG09X
, 4J029BG09Y
, 4J029BH02
, 4J029BH04
, 4J029DB07
, 4J029DB13
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