特許

J-GLOBAL ID：200903025469863180

不揮発性半導体メモリ及びそのデータ書込み方法

発明者： 榎本 良成 ,  鶴田 芳雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175781
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029382
出願日： 1993年07月16日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 情報記憶の多値化、トランジスタ数の低減及び書込み時間の高速化を図る。【構成】 不揮発性半導体メモリに関し、メモリトランジスタの閾値を3種類以上設定する。第1の導電型の半導体基板11に設けられた第2の導電型のソース領域S及びドレイン領域D並びに、ソース領域S及びドレイン領域Dとを跨ぐ領域上に、絶縁膜12を介して順次設けられた浮遊ゲート電極FG及びコントロールゲート電極CGから成るメモリトランジスタMTを具備し、メモリトランジスタMTの閾値Vthが浮遊ゲート電極FG及びコントロールゲート電極CGの電位により制御される不揮発性半導体メモリでおいて、浮遊ゲート電極FGに注入する電荷の量を制御する電荷注入制御手段13を設ける。電荷注入制御手段13は、書込み動作時において浮遊ゲート電極FGに対し2種類以上の電荷量の注入制御を行なう。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板に設けられた第2の導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域を跨ぐ領域上に、絶縁膜を介して順次設けられた浮遊ゲート電極及びコントロールゲート電極から成るメモリトランジスタを具備する不揮発性半導体メモリであって、前記浮遊ゲート電極に注入される電荷量を3種類以上制御可能な電荷注入制御手段を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (4件)：

G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

G11C 17/00 308 ,  H01L 29/78 371