スパッタリング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242930
公開番号（公開出願番号）：特開平6-093436
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比の高い孔内を、十分良好な埋込特性で埋込み、接続孔部における信頼性を向上させる。【構成】単一の単結晶もしくは最稠密原子配列方向がほぼそろった単結晶の集合体をターゲットとして用い、ターゲットの最稠密原子配列方向の一つに射出された原子のみが基板表面上に到達して堆積されるようにし、他の方向に射出された原子は到達出来ないようにする。

請求項（抜粋）：

真空容器内に配置されたターゲットにイオンを照射して、上記真空容器内に置かれた基板表面の所定領域上に、上記ターゲットを構成する材料を堆積する方法において、上記堆積は、上記ターゲットを構成する原子の最稠密配列方向の一つに射出された原子のみを、上記所定領域に入射させることによって実質的に行なわれ、上記最稠密配列方向の一つ以外の方向に射出された上記原子は、上記所定領域には実質的に入射されないことを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , C23C 14/54 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

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