特許
J-GLOBAL ID:200903025471834830

液晶表示装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): クオンタ・ディスプレイ・ジャパン株式会社
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-182106
公開番号(公開出願番号):特開2005-017669
出願日: 2003年06月26日
公開日(公表日): 2005年01月20日
要約:
【課題】従来の製造工程数を削減した製造方法ではチャネル長が短くなると製造裕度(マージン)が小さく歩留が低下する。【解決手段】走査線の形成工程と半導体層の島化工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術と、公知技術である絵素電極と走査線とを同時に形成する合理化技術との組合せによりTN型液晶表示装置とIPS型液晶表示装置の4枚マスク・プロセス案と3枚マスク・プロセス案を構築する。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
絶縁基板の一主面上にゲート電極が形成され、前記ゲート電極の側面には絶縁層が形成されるとともにゲート電極上には1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層が形成され、前記第1の半導体層上に絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる1対の不純物を含む第2の半導体層が形成され、前記第2の半導体層上と絶縁基板上に耐熱金属層を含んで1層以上の金属層よりなるソース・ドレイン配線が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタ。
IPC (2件):
G02F1/1368 ,  G02F1/1345
FI (2件):
G02F1/1368 ,  G02F1/1345
Fターム (23件):
2H092GA14 ,  2H092GA34 ,  2H092GA61 ,  2H092JA26 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JB14 ,  2H092JB24 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA17 ,  2H092MA24 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092NA14 ,  2H092NA16 ,  2H092NA27 ,  2H092PA08

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