多孔質のケイ素酸化物塗膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102446
公開番号（公開出願番号）：特開2001-287909
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】比誘電率の低くかつ基板との密着性が高く、研磨に対する耐性をもつ、半導体素子の多層配線構造体用の多孔質のケイ素酸化物塗膜を提供する。【解決手段】ケイ素酸化物の3次元骨格構造中にリン原子を含有する多孔質のケイ素酸化物塗膜で骨格が主に下記式(1)のケイ素酸化物の3次元構造により構成され、該ケイ素酸化物中のケイ素原子の全モル数に対してリン原子を少なくとも0.01モル%以上含有し、0.1〜500μmの範囲内の厚さである。R<SB>x</SB>H<SB>y</SB>SiO<SB>z</SB> (1)(但し、式中RはC1〜8の直鎖状、分岐上および環状のアルキル基、アリール基を表し、0≦x<2、0≦y<2、0≦(x+y)<2、1<z≦2である)

請求項（抜粋）：

骨格が主に下記式(1)のケイ素酸化物の3次元構造により構成され、該ケイ素酸化物中のケイ素原子の全モル数に対してリン原子を少なくとも0.01モル%以上含有し、0.1〜500μmの範囲内の厚さであることを特徴とする多孔質のケイ素酸化物塗膜。R<SB>x</SB>H<SB>y</SB>SiO<SB>z</SB> (1)(但し、式中Rは炭素数1〜8の直鎖状、分岐上および環状のアルキル基、アリール基を表し、0≦x<2、0≦y<2、0≦(x+y)<2、1<z≦2である)

IPC (6件)：

C01B 33/12 , C09D 1/00 , C09D 5/25 , C09D183/04 , C09D201/00 , H01L 21/768

FI (8件)：

C01B 33/12 A , C01B 33/12 C , C09D 1/00 , C09D 5/25 , C09D183/04 , C09D201/00 , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q

Fターム (48件)：

4G072AA38 , 4G072BB09 , 4G072BB15 , 4G072FF06 , 4G072FF07 , 4G072FF09 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH30 , 4G072MM01 , 4G072RR05 , 4G072UU01 , 4J038AA011 , 4J038CE022 , 4J038CF022 , 4J038CG032 , 4J038CG142 , 4J038CG172 , 4J038CK032 , 4J038DE002 , 4J038DF022 , 4J038DG002 , 4J038DJ022 , 4J038DL031 , 4J038FA042 , 4J038FA062 , 4J038FA082 , 4J038FA092 , 4J038FA102 , 4J038FA122 , 4J038FA152 , 4J038FA222 , 4J038HA056 , 4J038HA386 , 4J038HA441 , 4J038JC20 , 4J038NA17 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC02 , 4J038PC03 , 5F033GG02 , 5F033RR04 , 5F033RR29 , 5F033XX12 , 5F033XX25 , 5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭59-062675
有機-無機複合体および多孔質ケイ素酸化物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-115564 出願人：旭化成工業株式会社

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