二核錯体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浜田治雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-512840
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517672
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2001年10月09日
要約：

【要約】【化1】一般式:(L1)-M1-(D1-B-D2)-M2-(L2)[式中、D1-B-D2は架橋配位子であり;D1はアザ窒素がM1との二座もしくは三座キレートを形成しうる多環式ヘテロ芳香族配位子であり;D2は遷移金属M2に配位される任意の二座もしくはオリゴ座配位子であり;Bは少なくとも2個の原子の適当に置換された連鎖であり;M1は八角配位範囲を有する遷移金属イオンであり;M2は任意の遷移金属イオンであり;L1はM1の残余の配位範囲を飽和する1〜3個の補助配位子のセットからなり;L2はM2の残余の配位範囲を飽和する1〜4個の補助配位子のセットからなる]を有する二核DNA織込遷移金属錯体につき開示する。本発明による錯体の例を図1に示す。本発明による錯体は、たとえば癌および感染のような種々異なる病気の処置に有用である。

請求項（抜粋）：

一般式(L1)-M1-(D1-B-D2)-M2-(L2)[式中、D1-B-D2は架橋配位子であり; D1はアザ窒素がM1との二座もしくは三座キレートを形成しうる多環式ヘテロ芳香族配位子であり; D2はD1と同一または異なるものであって遷移金属M2に配位される任意の二座もしくはオリゴ座配位子であり; Bは環系D1をD2に共有結合させる、少なくとも2個の原子の適当に置換された連鎖であり; M1は、架橋配位子のD1成分およびセットL1の二座もしくは多座配位子の少なくとも1つに置換不活性配位結合を形成しうる八角配位範囲を有する遷移金属イオンであり; M2は任意の遷移金属イオンであり; L1はM1の残余の配位範囲を飽和する1〜3個の補助配位子のセットからなり、これら配位子の少なくとも1つは二座、三座もしくは四座キレートにおけるM1に対し置換不活性配位結合を形成し; L2はM2の残余の配位範囲を飽和する1〜4個の補助配位子のセットからなる]を有する二核DNA織込遷移金属錯体。

IPC (8件)：

A61K 31/555 , A61P 31/00 , A61P 35/00 , C07D471/04 112 , C07D471/14 102 , C07D471/22 , C07D519/00 311 , C07F 15/00

FI (8件)：

A61K 31/555 , A61P 31/00 , A61P 35/00 , C07D471/04 112 T , C07D471/14 102 , C07D471/22 , C07D519/00 311 , C07F 15/00 A

Fターム (25件)：

4C065AA04 , 4C065AA19 , 4C065BB09 , 4C065BB12 , 4C065CC01 , 4C065CC05 , 4C065DD02 , 4C065EE02 , 4C065EE04 , 4C065HH01 , 4C065KK01 , 4C065PP01 , 4C072AA01 , 4C072MM02 , 4C072UU01 , 4C086AA01 , 4C086AA03 , 4C086HA28 , 4C086NA14 , 4C086ZB26 , 4C086ZB35 , 4H050AA01 , 4H050AB20 , 4H050WB14 , 4H050WB21

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