露光方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059570
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260686
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】レジスト中で吸収される光量のレジスト膜厚依存性のばらつきを低減する。【解決手段】LSIパターンが刻まれたフォトマスクを露光光で照明し、フォトマスクを透過した光を投影光学系で被加工基板3に形成されたレジスト膜6にパターン転写する露光方法において、投影光学系2と被加工基板3との間を、投影光学系2の被加工基板に最も近い面を構成する部材の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜6の屈折率よりも小さい屈折率を有するモノブロムナフタレン11で満たしてパターン転写を行う。

請求項（抜粋）：

フォトマスクを露光光で照明し、該フォトマスクを透過した光を投影光学系で被加工基板上に形成されたレジスト膜にパターン転写する露光方法において、前記投影光学系の前記被加工基板に最も近い面と前記被加工基板との間を、空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する媒質で満たしてパターン転写を行うことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 516 F , G03F 7/20 521

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