特許
J-GLOBAL ID：200903025476231700
TAB式半導体装置及びその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043247
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243234
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 ボールボンディングによって形成したバンプ電極のインナーリードボンディング強度を向上させたTAB式半導体装置及びその製造装置を提供する。【構成】 製造装置は、挿通孔10aに金属細線7を挿通してその下端から突出した金属細線先端部に金属ボールを形成し、金属ボールをTABテープの半導体ペレット8上に熱圧着して金属細線7を切断分離してバンプ電極9を形成するキャピラリ10を具備し、その下端面に開口した挿通孔10aの全周囲に亘って、バンプ電極9に環状凹部9aを形成する突起10bを設けてなり、TAB式半導体装置は、バンプ電極9にTABテープのインナーリード3aを、立ち上がり部7bを圧潰してその圧潰部分を凹部9aに収容した状態で電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
半導体ペレット上に金属ボールを熱圧着して形成したバンプ電極の上部中央の立ち上がり部全周辺部に環状凹部を形成し、そのバンプ電極にTABテープのインナーリードを、上記バンプ電極の立ち上がり部を圧潰してその圧潰部分を上記凹部に収容した状態で電気的に接続したことを特徴とするTAB式半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
