特許

J-GLOBAL ID：200903025484188457

半導体不揮発性メモリおよびそのセキュリティ方法

発明者： 畠山 伸一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306152
公開番号（公開出願番号）：特開2001-125832
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 メモリ内データのセキュリティ確保と使い勝手の良さを同時に実現できるとともに、データに対するセキュリティを含めた使い勝手を、使用者の意図によって自由に選択できる半導体不揮発性メモリおよびそのセキュリティ方法を提供する。【解決手段】 使用者N1が継続してメモリ部6の記憶データを読み出す場合で入力コードC1が書き込まれた場合には、この入力コードC1を予め記憶された暗証コードA1と比較し、それらが一致した場合にのみ出力される読み出し許可信号R1に従って、メモリ部6の記憶データの読み出しを許可し、この記憶データの読み出しが所定の一定時間内に行われなかった場合には、書き込まれた入力コードC1を消去して、メモリ部6の記憶データに対するセキュリティ機能を再開してメモリ部6の記憶データの読み出しを禁止する。

請求項（抜粋）：

使用者により書き込まれた入力コードと予め設定された暗証コードとを比較して、一致した場合には、メモリに記憶されたデータの読み出しを許可する読み出し許可信号を出力する手段と、前記読み出し許可信号に従って、前記使用者によるメモリからのデータの読み出しを可能とする手段とを備え、前記入力コードと暗証コードとが一致した場合に、前記使用者によるメモリからのデータの読み出しを許可して、前記メモリ内のデータに対するセキュリティを解除するよう構成したことを特徴とする半導体不揮発性メモリ。

IPC (3件)：

G06F 12/14 320 ,  G06F 12/14 310 ,  G06F 9/06 550

FI (3件)：

G06F 12/14 320 C ,  G06F 12/14 310 D ,  G06F 9/06 550 J

Fターム (11件)：

5B017AA03 ,  5B017AA04 ,  5B017AA07 ,  5B017BA05 ,  5B017BB03 ,  5B017BB05 ,  5B017BB10 ,  5B017CA12 ,  5B017CA15 ,  5B017CA16 ,  5B076FC08