半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032617
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217419
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜にかかる電界強度が局所的に大きくなることを防止し、ゲート絶縁耐圧の低下を抑制できるようにする。【解決手段】トレンチ6を略直線状部6aと略円弧状部6bとで構成すると共に、略直線状部6aの端部を略円弧状部6bで連結し、トレンチ6が切れ目なく連続的につなげられた形状となるようにする。このように、トレンチ6を切れ目なく連続的につなげられた形状とすれば、トレンチ6の端部をなくすことができるため、ゲート絶縁膜7にかかる電界強度が局所的に大きくなることを防止することができる。これにより、ゲート絶縁耐圧の低下を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

主表面と裏面とを有し、前記主表面にトレンチ(6)が延設されてなる半導体基板と、前記トレンチの内壁面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極(8)とを備え、前記ゲート電極に電圧を印加することにより、前記半導体基板のうち前記トレンチの側面に位置する部分にチャネル領域を形成し、前記半導体基板の前記主表面側と前記裏面側との間に電流を流すように構成され、前記トレンチは、切れ目なく連続的につなげられた形状となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 655 , H01L 29/74 , H01L 29/749

FI (6件)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 F , H01L 29/74 W , H01L 29/74 X , H01L 29/74 601 A

Fターム (9件)：

5F005AA03 , 5F005AC02 , 5F005AE07 , 5F005AF01 , 5F005AF02 , 5F005BA02 , 5F005BB02 , 5F005GA01 , 5F005GA03

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