特許
J-GLOBAL ID：200903025497577380

圧接型半導体装置

発明者：
宮地 幸夫

宮地 幸夫 について

, 
岡本 篤人

岡本 篤人 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (2件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-266940
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104004
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】半導体素子に加えられる圧力が小さくても、素子側電極と筐体側電極との圧接部での電気抵抗および熱抵抗の小さい圧接型半導体装置を提供すること。【解決手段】筐体の内部に、少なくとも1個以上の半導体素子を設けた圧接型半導体装置において、第1の筐体側電極と第1の主面に設けた素子側電極との圧接部、および/または、第2の筐体側電極と第2の主面に設けた素子側電極との圧接部に、導電性炭素を含む緩衝導電層が設けられたことを特徴とする圧接型半導体装置。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
1つ以上の素子側電極を設けた第1の主面と、該第1の主面と反対側の面に1つ以上の素子側電極を設けた第2の主面とを含む、少なくとも1個以上の半導体素子が、 対向配置された第1の筐体板と第2の筐体板とを含み、前記第1の筐体板の対向面に第1の筐体側電極と、前記第2の筐体板の対向面に第2の筐体側電極とが設けられた筐体の内部に、 前記第1の筐体側電極と前記第1の主面に設けた1つ以上の素子側電極とが圧接し、且つ、前記第2の筐体側電極と前記第2の主面に設けた1つ以上の素子側電極とが圧接するように組み込まれた圧接型半導体装置において、 前記第1の筐体側電極と前記第1の主面に設けた素子側電極との圧接部、および/または、前記第2の筐体側電極と前記第2の主面に設けた素子側電極との圧接部に、導電性炭素を含む緩衝導電層が設けられたことを特徴とする圧接型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/52 ,  B82B1/00 ,  H01L29/78
FI (6件)：
H01L21/52 J ,  B82B1/00 ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 653A
Fターム (3件)：
5F047BB03 ,  5F047JA01 ,  5F047JA20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM