特許
J-GLOBAL ID：200903025502985068
気相成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松山 允之
, 池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329036
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147215
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】 本発明は、気相成長装置をクリーニングする際に、気相成長装置を損傷するおそれの多いクリーニング操作中の真空ポンプの自己発熱を低減させて、気相成長装置の耐用寿命を改善し、また、安価なシール用部材の使用を可能とすることを目的としている。【解決手段】 本発明の特徴は、ClF3ガスなどのクリーニングを用いて気相成長装置のクリーニングを実施する際に、排気用真空ポンプの回転数を低下させるように制御し、排気用真空ポンプの断熱圧縮の作用による自己発熱量を低減させることにある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理基板である半導体基板を載置するサセプタを備えた反応室と、該反応室に成膜に必要なガス原料を供給する原料供給装置と、該反応室内のガスを排出するための排気配管と、該排気配管に接続されている排気用真空ポンプと、該真空ポンプを制御する制御装置とを備えた気相成長装置を用いた半導体基板上に薄膜を形成する気相成長方法であって、
該気相成長装置にクリーニングガスを流通させることによって気相成長装置のクリーニングを行う際に、該排気用の真空ポンプの回転数を、定常運転時の回転数より低下させることを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030BA29
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA06
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AC15
, 5F045AF01
, 5F045BB10
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EB06
, 5F045EG06
