不揮発性半導体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078784
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273387
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体メモリ装置の誤動作を防ぎ、歩留まりを向上する。【解決手段】セレクタ1に供給された偶奇データ信号O/Eにより奇数行のメモリセルに書き込むときには、第1の定電圧ダイオード2及び偶数行と同じ構造の第1の補正用セルトランジスタ3を、偶数行に書き込むときには、第2の定電圧ダイオード4及び奇数行と同じ第2の補正用セルトランジスタ5を選択する。第1または第2の補正用セルトランジスタ3,5の閾値電圧の違いにより、昇圧回路32より書込制御回路31へ与えられる書き込み電圧が調整され、フローティングゲートに注入される電荷量が制御され、メモリセルトランジスタの特性の変動が吸収消去される。

請求項（抜粋）：

電気的に絶縁されたフローティングゲートに電荷を注入することで書き込み情報を記憶する複数のメモリセルトランジスタが行列状に配置されてなり、前記メモリセルトランジスタは、そのソースとドレインの位置関係が、奇数行と偶数行の間で互いに逆転して配列されてなる不揮発性半導体メモリ装置において、偶数行の前記メモリセルトランジスタと同じソース・ドレインの位置関係を有する第1の補正用セルトランジスタ及び定電圧ダイオードからなる第1のリミッタ回路と、奇数行の前記メモリセルトランジスタと同じソース・ドレインの位置関係を有する第2の補正用セルトランジスタ及び定電圧ダイオードからなる第2のリミッタ回路を有し、前記フローティングゲートに電荷を注入すべく選択された前記メモリセルトランジスタの行位置情報により前記第1または第2のリミッタ回路を選択し、選択した前記リミッタ回路に応じて書き込み電圧を制御する制御回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (6件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 633 D , G11C 17/00 611 E , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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