特許
J-GLOBAL ID：200903025510433929
半導体処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170294
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357677
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 大口径ウェーハの均一エッチングを実現する。【解決手段】 半導体処理装置の処理槽内に上部電極及び下部電極を備え、また、処理槽内にプロセスガスを供給するためのガス供給器を備え、上記両電極間にプラズマを発生して半導体試料を処理する。このガス供給器は、ほぼ円筒形で周囲に所定の穴の列が設けられた中心分配器と、上記中心分配器を中心に摺動可能に収容し、この中心分配器に接する位置から外面に通じる多数のガス経路が形成された周辺分配器とを備えている。そして、上記中心分配器と上記周辺分配器との相互位置を変えることにより、上記中心分配器の上記穴の列と上記周辺分配器のガス経路とをレシピに応じて連通させ、上記中心分配器に導入されたプロセスガスを上記周辺分配器の外周から上記処理槽内に供給するものである。
請求項（抜粋）：
処理槽内に上部電極及び下部電極を備え、上記両電極間にプラズマを発生して半導体試料を処理する半導体処理装置において、ほぼ円筒形で周囲に所定の穴の列が設けられた中心分配器と、上記中心分配器を中心に摺動可能に収容し、この中心分配器に接する位置から外面に通じる多数のガス経路が形成された周辺分配器とを備え、上記中心分配器と上記周辺分配器との相互位置を変えることにより、上記中心分配器の上記穴の列と上記周辺分配器のガス経路とをレシピに応じて連通させ、上記中心分配器に導入されたプロセスガスを上記周辺分配器の外周から上記処理槽内に供給するガス供給器を備えたことを特徴とする半導体処理装置。
Fターム (16件)：
5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BA20
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BC08
, 5F004BD01
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004EA15
, 5F004EB01
, 5F004EB03
