特許
J-GLOBAL ID：200903025514359537
半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
澤 喜代治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113927
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296815
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、構成が簡単で、しかも、小型でありながら、0.01μm程度以上の微粒子粉塵を捕獲できる半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法及びその装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、半導体素子製造工程において微粒子粉塵を発生する微粒子粉塵発生源から発生する微粒子粉塵含有気流を、集塵室に導入し、集塵室内で目の大きさが順に小さくなる3層以上の複数層のエレメントを積層した積層フィルタに貫流させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子製造工程において微粒子粉塵を発生する微粒子粉塵発生源から発生する微粒子粉塵含有気流を、集塵室に導入し、集塵室内で目の大きさが順に小さくなる3層以上の複数層のエレメントを積層した積層フィルタに貫流させることを特徴とする、半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法。
引用特許：
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