特許

J-GLOBAL ID：200903025514580071

半導体装置の製造方法

発明者： 山内 美知子
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-294808
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147402
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属/Si界面の酸化膜にダメージを与えることなく除去し、高融点金属シリサイド(Tiシリサイド)/Si界面の制御性をよくし、接合リークを低減し、浅い接合形成を可能にし、シリサイド膜の熱的安定性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板の不純物拡散層上に高融点金属シリサイド膜を有する半導体装置の製造方法において、ゲート23を形成してなるアクティブ領域上にTi膜を形成後、熱処理を行い、Tiシリサイド(TiSi2 )膜24を形成する工程と、該Tiシリサイド膜24上に多結晶シリコン膜25を選択的に形成し、該多結晶シリコン膜25中に飛程距離をあわせて不純物をイオン注入する工程と、前記不純物と同型の不純物を含むガス中で熱処理し、不純物拡散層26を形成する工程を施す。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の不純物拡散層上に高融点金属シリサイド膜を有する半導体装置の製造方法において、(a)ゲートを形成してなるアクティブ領域上に高融点金属膜を形成した後、熱処理を行い高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、(b)該高融点金属シリサイド膜上に多結晶シリコン膜を選択的に形成し、該多結晶シリコン膜中に飛程距離をあわせて不純物をイオン注入する工程と、(c)前記不純物と同型の不純物を含むガス中で熱処理し、不純物拡散層を形成する工程を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 P