錫又は錫合金めっき浴

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：倉内基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248349
公開番号（公開出願番号）：特開2000-080493
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】新規な錫又は錫合金めっき浴を提供する。【解決手段】本発明のめっき浴は、必須の成分として:(A)錫塩又は錫錯体の1種又は2種以上、或いは錫塩又は錫錯体の1種又は2種以上と錫以外の金属の塩又は錯体の1種又は2種以上、(B)酸、塩基及び(又は)錯化剤の1種又は2種以上、(C)界面活性剤の1種又は2種以上、(D)C1〜C6の低級脂肪族飽和の水溶性のアルコール、ケトン又はエーテルの1種又は2種以上、及び(E)ベンゼン環又はナフタレン環の水素を1〜6個の範囲で水酸基に置き換えた化合物及びそれらにさらにカルボキシル基又はスルホン酸基を導入したモノ(又はポリ)ヒドロキシベンゼン又はモノ(又はポリ)ヒドロキシナフタレン或いはそれらの誘導体の1種又は2種以上を含有してなることを特徴とする錫又は錫合金めっき浴である。

請求項（抜粋）：

必須の成分として:(A)錫塩又は錫錯体の1種又は2種以上、或いは錫塩又は錫錯体の1種又は2種以上と錫以外の金属の塩又は錯体の1種以上又は2種以上、(B)酸、塩基及び(又は)錯化剤の1種又は2種以上、(C)界面活性剤の1種又は2種以上、(D)C1〜C6の低級脂肪族飽和の水溶性のアルコール、ケトン又はエーテルの1種又は2種以上、及び(E)ベンゼン環又はナフタレン環の水素を1〜6個の範囲で水酸基に置き換えた化合物及びそれらにさらにカルボキシル基又はスルホン酸基を導入したモノ(又はポリ)ヒドロキシベンゼン又はモノ(又はポリ)ヒドロキシナフタレン或いはそれらの誘導体の1種又は2種以上を含有してなることを特徴とする錫又は錫合金めっき浴。

IPC (2件)：

C25D 3/32 , C25D 3/60

FI (2件)：

C25D 3/32 , C25D 3/60

Fターム (13件)：

4K023AA17 , 4K023AB33 , 4K023BA06 , 4K023BA08 , 4K023BA26 , 4K023BA29 , 4K023CA04 , 4K023CB03 , 4K023CB05 , 4K023CB08 , 4K023CB13 , 4K023CB21 , 4K023DA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

光沢錫-ビスマス合金電気めっき浴
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-087516 出願人：株式会社大和化成研究所, 石原薬品株式会社
錫-銀合金電気めっき浴及び錫-銀合金電気めっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335149 出願人：上村工業株式会社
めっき用組成液
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353584 出願人：ユケン工業株式会社

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