特許

J-GLOBAL ID：200903025526296441

電界効果型半導体装置

発明者： 正戸 宏幸 ,  太田 順道 ,  田邊 充 ,  熊渕 康仁
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307100
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 パワーFETの高耐圧化及び高電流密度化を実現する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板51の上にノンドープGaAsバッファ層52、n型GaAsチャネル層53、ノンドープSiCワイドギャップショットキー層54、及びn型SiCワイドギャップオーミックコンタクト層55がMBE法によるエピタキシャル成長によって積層され、さらに、ソース電極56、ドレイン電極57、及びゲート電極58が設けられている。ゲート電極58はワイドギャップ半導体層54とショットキー接合している。ワイドギャップ半導体は結晶内でキャリアの増倍効果が発生する電界強度が高く、絶縁破壊電圧が高いため、最も電界が集中するゲート-ドレイン間のゲート近傍付近に高電界が印加されても、高耐圧が維持される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上に形成されているInxGa1-xAs活性層(0≦x≦1)と、該活性層の上に形成されている、少なくともショットキー層を含む積層構造と、を備え、該ショットキー層がワイドギャップ半導体層である、電界効果型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 F