特許
J-GLOBAL ID：200903025538202604
シリコン酸化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-175531
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026450
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 界面準位密度が低く、絶縁破壊耐圧が高く、長期信頼性(TDDB特性)に優れたシリコン酸化膜の形成方法を得る。【解決手段】 ガスの導入および排気が可能な反応管1内にシリコン基板5を載置し、酸化性雰囲気中でシリコン基板5を高温加熱して表面を酸化するものであって、反応管1内に導入するガスが、少なくとも含窒素酸化性ガスと含塩素有機系ガスとを含み、かつ含窒素酸化性ガスに対する含塩素有機系ガスの比率を減少させながらシリコン基板表面を熱酸化処理することを特徴とするものである。なお、含窒素酸化性ガス雰囲気中で、シリコン基板5に紫外線を照射しつつ、シリコン基板5の表面を熱酸化処理してもよい。
請求項（抜粋）：
ガスの導入および排気が可能な反応管内にシリコン基板を載置し、酸化性雰囲気中で前記シリコン基板を高温加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記反応管内に導入するガスが、少なくとも含窒素酸化性ガスと含塩素有機系ガスとを含み、かつ前記含窒素酸化性ガスに対する前記含塩素有機系ガスの比率を減少させながら前記シリコン基板表面を熱酸化処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 29/78 301 G
