特許

J-GLOBAL ID：200903025540383063

プラズマ処理装置

発明者： 原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  鮫島 俊之 ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022767
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236850
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 成膜物等に対しダメージを生じることなく、また均一な膜厚分布をもって成膜することが可能であり、装置内の余分な付着が抑制されたプラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ生成部1と処理部2とが分離されて成るプラズマ処理装置において、プラズマ生成部1と処理部2との境界近傍からプラズマ処理すべき基板20に向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガイド3を設ける構成とする。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成部と処理部とが分離されて成り、上記プラズマ生成部と上記処理部との境界近傍から処理すべき基板に向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガイドが設けられて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196097   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-004531
  
• 特開昭62-195124