特許

J-GLOBAL ID：200903025541488365

水素ラジカルを包含する反応性イオンエッチング法

発明者： マット マーダッド ハムラー ,  グラハム ウイリアム ヒルズ ,  イアン ジェイムズ モレイ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013750
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021011
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【構成】誘電体層および半導体層のうち1層以上を含む構造を、密閉した反応室内の基板の表面上に定置し、水素ラジカルの気相発生源、例えば水素、アンモニアまたはメタンを含有する反応性混合気を該反応室に供給し、該反応室にRFエネルギーを供給して、食刻用プラズマ、および基板表面に実質的に垂直な付随する電場を設定し、該電場に実質的に垂直かつ基板表面に平行な直流磁場を該反応室に印加し、該誘電体または半導体の層の少なくとも一部を該反応性混合気に食刻させる。【効果】酸化物に対する食刻速度は、5,000 オングストローム/分を上回るまでに高められ、ポリシリコンに対する選択性は、25:1を上回るまでに改善され、ホトレジストに対する選択性は6:1を上回るまでに改善され、しかもプロファイル角、RIE ラグおよび食刻速度の均一性に著しく不都合な影響を及ぼすことがない。気体流量の10容積%をNH3 が占めるCHF 3 、Ar、CF4 およびNH3 という化学的構成を用いると、15%を下回るRIE ラグとともに50:1という選択性が達成される。

請求項（抜粋）：

誘電体層および半導体層のうち1層以上を含む構造を、密閉したチャンバ内の基板の表面上に置く(positioning) 段階と、水素ラジカルの気相発生源を含有する選定された反応性混合気を上記チャンバに供給する段階と、該チャンバにRFエネルギーを供給して、食刻用プラズマ、および基板表面に実質的に垂直な付随する電場(associated electric field) を設定する段階と、該電場に実質的に垂直かつ基板表面に平行な直流磁場を該チャンバに印加する段階と、上記誘電体または半導体の層の少なくとも一部を上記反応性混合気に食刻させる段階とを含むことを特徴とする反応性イオンエッチング法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-052932
  
• 特開昭63-161620
  
• 特開昭64-032627
  
• 特開平2-015623