電子線リソグラフィー用基板材料

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342794
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169675
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 VLSI製造用の高分解能電子リソグラフィーにおいて、密集した図形における分解能の限界を100nm以下にして描画することができる電子線リソグラフィー用の基板材料を提供することにある。【構成】低熱膨張率ガラス板(平均原子番号は約11)等の基板1の片面をダイヤモンドライクグラファイト層(原子番号は6)、あるいはグラファイト層(原子番号は6)等の炭素薄膜9で被覆した基板材料であって、表面に電子線レジスト層3を塗布する直接描画法における電子線リソグラフィー用の基板材料である。あるいはまた、基板1上にクロム、酸化クロム、シリコン、、酸化シリコン、酸化鉄等の薄膜のマスク材料層2を形成した従来型の基板材料の表面にさらに炭素薄膜9を被覆した基板材料であって、表面に電子線レジスト層3を塗布する、間接描画法における電子線リソグラフィー用の基板材料である。

請求項（抜粋）：

表面に電子線レジスト層を被覆する基板もしくはこの基板とマスク材料層からなる電子線リソグラフィー用基板材料において、この基板材料を炭素薄膜で被覆したことを特徴とする電子線リソグラフィー用基板材料。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/09 , H05K 1/03 , H05K 3/28

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-057624
特開昭54-043681

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