半導体集積回路の配線の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-201829
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045883
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 CMPによる平坦化工程での欠陥の発生を防止し、ダメージの小さいダマシン微細配線を簡易な工程で形成できる半導体集積回路の配線の製造方法を提供する。【解決手段】溝を誘電体膜2により形成する工程と、誘電体膜2上に導電膜4を形成する工程と、化学的機械研磨法により溝内以外の部分の導電膜4を除去することにより、溝内に導電膜4が埋め込まれた平坦な表面を形成する工程とを含み、誘電体膜2上に形成する導電膜4の表面荒さが、誘電体膜2によるパターン段差よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路の配線の製造方法。

請求項（抜粋）：

配線パターンに対応する溝を誘電体膜により形成する工程と、該誘電体膜上に導電膜を形成する工程と、化学的機械研磨法により該溝内以外の部分の該導電膜を除去することにより、該溝内に該導電膜が埋め込まれた平坦な表面を形成する工程とを含む半導体集積回路の配線の製造方法において、該誘電体膜上に形成する導電膜の表面荒さが、少なくとも該誘電体膜によるパターン段差よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路の配線の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 M

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