不揮発性メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032164
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235369
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】セル面積を小さくでき、製造が容易で、製造コストを低くすることができる不揮発性メモリを提供することを目的とする。【構成】不揮発性メモリ21は、Pウェル2内に、ドレイン3、ソース4、ソース電極24、電荷保持用絶縁膜6で覆われたチャネル形成領域10a、およびシリコン酸化膜8で覆われたチャネル形成領域10bを備えている。チャネル形成領域10a、10bの上部にはメモリゲート電極5および、導電性サイドウォール23が設けられている。なお、導電性サイドウォール23は、シリコン酸化膜9によって、メモリゲート電極5と絶縁される。メモリゲート電極5にはプログラム電圧を、導電性サイドウォール23には反転電圧を印加することによって、チャネル形成領域10a、10bにチャネルが形成される。なお、不揮発性メモリ21の製造工程において、導電性サイドウォール23によってチャネル形成領域10bの幅Wを正確に決定することができる。

請求項（抜粋）：

第1領域、第1領域との間に電路形成可能領域を形成するように設けられた第2領域、電荷を保持するため電路形成可能領域を覆う電荷保持用絶縁膜、電荷保持用絶縁膜上に設けられた制御電極、を備えた不揮発性メモリにおいて、電路形成可能領域を、第1の電路形成可能領域と第2の電路形成可能領域に分け、第1の電路形成可能領域上に、制御用電極を備え、第2の電路形成可能領域上に制御電極の側壁と非接触状態に設けられた導電性側壁を備えているとともに、導電性側壁の下部の電荷保持用絶縁膜を電荷を保持しない絶縁膜で構成すること、を特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-254160
特開平3-276828
特開昭63-099574

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