特許
J-GLOBAL ID：200903025548235748

半導体装置及びその製造方法

発明者：
龍崎 大介

龍崎 大介 について

, 
古澤 健志

古澤 健志 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-115605
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309173
出願日： 2002年04月18日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 有機シロキサン膜の比誘電率を上昇させることなく、保護絶縁膜との剥離を抑制することが困難である。【解決手段】 有機シロキサン膜の表面にフッ素を含むガスを用いてプラズマ処理を行い、改質層を形成し、その後保護絶縁膜を形成することによって剥離の抑制が達成される。【効果】 有機シロキサン膜の比誘電率を上昇させることなく保護絶縁膜との接着性を高めることができ、剥離を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された、シリコンと酸素と炭素を含み比誘電率が3以下の低誘電率膜と、該低誘電率膜の表面に形成された、シリコンと酸素と炭素とフッ素を含む該低誘電率膜の改質層と、該改質層の上部に形成された保護絶縁膜から成る積層構造の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 M
Fターム (56件)：
5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD07 ,  5F058BD19 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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