垂直磁気記録媒体及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：谷義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113108
公開番号（公開出願番号）：特開2002-312925
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】磁区制御層として反強磁性層を用いて軟磁性裏打ち層磁壁の制御を有効に行なうことにより低ノイズ化された垂直磁気記録媒体および該記録媒体の大量生産に適した製造方法の提供。【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、交換結合磁界制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、軟磁性裏打ち層としてCo系アモルファス合金からなる軟磁性層を用い、磁区制御層と界面で接し交換結合磁界の大きさを調整するために少なくともCoとFeを含む合金からなる交換結合磁界制御層を用い、磁区制御層として少なくともIr含有Mn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層結晶配向の制御のために下層にCr含有NiFe系合金よりなる配向制御層を用い、該配向制御層微細構造の制御のために最下層にTaよりなる下地層を用いる垂直磁気記録媒体。

請求項（抜粋）：

非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、交換結合磁界制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層としてCo系アモルファス合金からなる軟磁性層を用い、前記磁区制御層と界面で接し交換結合磁界の大きさを調整するために少なくともCoとFeを含む合金からなる交換結合磁界制御層を用い、前記磁区制御層として少なくともIrを含むMn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層の結晶配向を制御するために下層にCrを含むNiFe系合金よりなる配向制御層を用い、更に該配向制御層の微細構造を制御するために最下層にTaよりなる下地層を用いることを特徴とする垂直磁気記録媒体。

IPC (6件)：

G11B 5/738 , G11B 5/66 , G11B 5/667 , G11B 5/852 , H01F 10/16 , H01F 10/30

FI (6件)：

G11B 5/738 , G11B 5/66 , G11B 5/667 , G11B 5/852 Z , H01F 10/16 , H01F 10/30

Fターム (24件)：

5D006BB02 , 5D006CA01 , 5D006CA03 , 5D006CA04 , 5D006CA06 , 5D006DA08 , 5D006EA03 , 5D006EA05 , 5D006FA09 , 5D112AA03 , 5D112AA04 , 5D112AA24 , 5D112BD03 , 5D112BD04 , 5D112BD08 , 5D112DD01 , 5D112DD08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-029272 出願人：株式会社日立製作所
垂直磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-184254 出願人：株式会社東芝
磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-078916 出願人：ソニー株式会社

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