プラズマ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050496
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理装置に於いて、被処理基板の大型化の要請に対応し、反応室を大型化してもプラズマの均一性を確保し得、更に反応室壁面の温度制御の向上を図るものである。【解決手段】アンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して反応室にプラズマを生成するプラズマ処理装置に於いて、反応室19を画成する真空容器20の一部を絶縁材として交番電磁界透過窓22を形成し、該交番電磁界透過窓を反応室中心に向かって突出する凹形状とし、該交番電磁界透過窓内にプラズマ発生用のアンテナ24を挿設し、前記アンテナにより交番電磁界を発生させ、前記交番電磁界透過窓を透過した交番電磁界は、反応室内の反応ガスを電離させ、プラズマが生成され被処理基板11が処理される。

請求項（抜粋）：

アンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して反応室にプラズマを生成するプラズマ処理装置に於いて、反応室を画成する真空容器の一部を絶縁材として交番電磁界透過窓を形成し、該交番電磁界透過窓を反応室中心に向かって突出する凹形状とし、該交番電磁界透過窓内にプラズマ発生用のアンテナを挿設したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (7件)：

H05H 1/46 L , H05H 1/46 M , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

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