半導体集積回路装置の製造方法およびその製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179191
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007049
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた溝または孔へのCu膜の埋め込み性を向上する。【解決手段】半導体基板1の実効温度を-50〜100°C程度に維持してスパッタリング法で成膜された第1のCu膜7の上層に、実効温度を250〜500°C程度に維持して第2のCu膜8をスッパッタリング法で成膜するので、第2のCu膜8を成膜する際に、第1のCu膜7の形状が崩れて、Cuが入射する見込み角度が広がりCuを溝5の内部に堆積し易くなり、さらに、Cu原子が第1のCu膜7の表面で動き易くなる。

請求項（抜粋）：

(a).半導体基板上の絶縁膜に溝または孔を形成する工程と、(b).前記半導体基板の実効温度を相対的に低温の-50〜100°C程度に維持し、平坦部での膜厚が前記溝または前記孔の実効深さの80〜140%程度となるように、前記絶縁膜の上層にスパッタリング法によって第1の銅膜を堆積する工程と、(c).前記半導体基板の実効温度を相対的に高温の250〜500°C程度に維持し、平坦部での膜厚が前記溝または前記孔の実効深さの5〜50%程度となるように、前記第1の銅膜の上層にスパッタリング法によって第2の銅膜を堆積する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , C23C 14/14 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/285 S , C23C 14/14 D , H01L 21/88 M

Fターム (56件)：

4K029AA29 , 4K029BA08 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029EA02 , 4K029EA08 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD79 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP18 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ85 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR15 , 5F033SS01 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW10 , 5F033XX02

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