特許

J-GLOBAL ID：200903025554760218

EMI低減半導体チップ

発明者： 熊谷 幸夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-111817
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306911
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】半導体チップから輻射される不要電磁輻射(EMI)を低減する。【解決手段】ベース部1と多層配線構造により構成された集積回路部2よりなる半導体チップの最上層に、微小金属パターンによる電磁波吸収層4を形成し、半導体チップ外部に輻射される不要電磁輻射を低減させる。

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体チップにおいて、前記半導体チップに、少なくとも1層以上の電磁波吸収層を設けたことを特徴とする半導体チップ。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H05K 9/00

FI (2件)：

H01L 21/88 T ,  H05K 9/00 Q

Fターム (10件)：

5E321AA22 ,  5E321BB32 ,  5E321CC30 ,  5E321GG11 ,  5F033LL02 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033VV03 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34