特許
J-GLOBAL ID：200903025556188260
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173086
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030121
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 全工程を比較的低温で行うことができ、絶縁膜を半導体膜の形成と共通の工程で形成することができ、かつ半導体膜と絶縁膜との界面及び絶縁膜に起因するリーク電流を低減し得る薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 絶縁基板31上にa-Si層32を形成し、シリコンと反応して絶縁物を形成する酸素を矢印C方向に領域35に注入し、しかる後、レーザー光Dを照射し、領域35を絶縁領域35Aとし、絶縁領域35A以外の領域を多結晶半導体領域とする各工程を備えた薄膜トランジスタの製造方法。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜を構成している半導体と反応して絶縁物を形成するイオン及び分子の少なくとも一方を、前記半導体膜中の絶縁領域を形成すべき領域に選択的に導入する工程と、レーザー照射または600°C以下の低温加熱により前記半導体膜をアニールすると共に、前記半導体膜中に絶縁領域を形成し、かつ絶縁領域以外の部分を半導体領域とする工程とを備えることを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 Y
