特許
J-GLOBAL ID:200903025557147010

パワー半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-197331
公開番号(公開出願番号):特開平6-045518
出願日: 1992年07月24日
公開日(公表日): 1994年02月18日
要約:
【要約】【目的】組立工数が少なくて済む低コスト,高信頼性のパワー半導体装置を提供する。【構成】樹脂ケース4に組み込んだパワー回路1,制御回路2を別々な基板1a,2aに搭載して回路相互間を内部配線し、かつ各回路に接続したパワー端子6,制御端子7をケースより外部に引出したパワー半導体装置において、パワー端子6,制御端子7をケース4の周縁に配列し、パワー回路と制御回路との間を相互接続するリードピン13をケース内の中段位置に設けたピンブロック12に配列してケースとあらかじめ一体にインサート成形しておき、該ケース4に対してパワー回路の基板1aをケースの底面側に組合わせた放熱用金属ベース11の上に、制御回路の基板2aをピンブロック12の上に搭載してパワー端子,制御端子,ピンブロックとの間をそれぞれ半田付けして組立てる。
請求項(抜粋):
樹脂成形品のケース内に組み込んだパワー回路,制御回路を別々な基板に搭載して回路相互間を内部配線するとともに、各回路に接続したパワー端子,制御端子をケースより外部に引出し、かつケース内には封止樹脂を充填してなるパワー半導体装置において、パワー端子,制御端子,およびパワー回路と制御回路との間を相互接続する内部配線用のリードピンをそれぞれ所定位置に配列してケースと一体にインサート成形し、該ケース内に組み込んだパワー回路,制御回路との間を半田付して組立てたことを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18

前のページに戻る