特許
J-GLOBAL ID：200903025557580598
電気吸収型光変調素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316326
公開番号（公開出願番号）：特開2002-122833
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 光変調素子長を長くするが実効的には光変調素子長を短縮して光変調素子の製造の容易性を満足すると共に光変調素子の高速応答特性をも満足する電気吸収型光変調素子を提供する。【解決手段】 光導波路層2に電界を印加して光吸収係数を変化させることにより光を強度変調する電気吸収型光変調素子において、変調される光が伝播する光導波路層2に電界の印加による光吸収係数の変化が生ぜず光吸収しない非光吸収領域24を形成した電気吸収型光変調素子。
請求項（抜粋）：
光導波路層に電界を印加して光吸収係数を変化させることにより光を強度変調する電気吸収型光変調素子において、変調される光が伝播する光導波路層に電界の印加による光吸収係数の変化が生ぜず光吸収しない非光吸収領域を形成したことを特徴とする電気吸収型光変調素子。
Fターム (6件)：
2H079AA02
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079HA15
