プラズマ装置及びこれを用いたプラズマ処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106397
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306663
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】被エッチング材のエッチレートを大幅に低下させることなく、対レジスト選択比の大幅な向上を図ることを可能とする。【構成】高真空容器2の側壁部26にカーボンを材料とするライナ37とライナ電極36とを設け、高密度プラズマ発生時に電源38からライナ電極36に直流バイアスを印加する。

請求項（抜粋）：

基板を収容する高真空容器内に生成させた高密度プラズマを用い当該基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ装置において、上記基板近傍に上記高真空容器の器壁から絶縁された器壁電極が配されるとともに、当該器壁電極の高真空容器内の露出面がカーボンよりなるライナで被覆されていることを特徴とするプラズマ装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01J 37/305 , H01L 21/3213 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H01J 37/305 A , H05H 1/46 L , H01L 21/88 D

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