特許
J-GLOBAL ID：200903025573566368
投影露光装置用マスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195989
公開番号（公開出願番号）：特開平6-019115
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 マスク寸法に対する投影露光したフォトレジスト寸法のデフォーカスに対する寸法変化を低減し、フォーカス余裕度を拡大するとともに、微細な寸法パターンの形成を可能にする。【構成】 フォトレジストに対して投影露光するためのマスクのマスクパターン寸法(マスク寸法)を、半導体装置の設計パターン寸法Lに露光時での焦点ずれによるフォトレジスト寸法の変化が最小となるように設定したマスクバイアス寸法ΔLを付加した寸法に設定する。例えば、マスクバイアス寸法は、投影露光装置の露光光波長,開口数,コヒーレント要因,各設計パターンのパターン幅に応じて最適値に設定される。
請求項（抜粋）：
半導体装置に設けられたフォトレジストに対して投影露光を行うためのマスクにおいて、露光時での焦点ずれによるフォトレジスト寸法の変化が最小となるように設定したマスクバイアス寸法を、半導体装置の設計パターン寸法に付加したマスク寸法に設定したことを特徴とする投影露光装置用マスク。
IPC (2件)：
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